摘要:
SRAM的基本存储单元通常由六个晶体管组成,这种结构被称为6T结构。 在图中,我们可以看到结构主要分成两部分,两个晶体管M1和M2形成一个反相器A,用于存储数据。M3和M4形成另一个反相器B,用于保持存储状态。M5和M6用于控制对存储单元的访问。 反相器的特性是将输入信号反转,例如输入“1”时,输出 阅读全文
posted @ 2025-12-08 14:29
丁洪贞
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摘要:
先进工艺节点的design rule 核心概念拆解Fin(鳍片):是 5nm FinFET 晶体管的核心立体结构,由硅材料制成,形似小鱼鳍,作为电流传导的通道。鳍片的尺寸、间距直接决定晶体管的开关速度与功耗,5nm 工艺中鳍间距(Fin Pitch)被大幅缩小,以此提升单位面积内的晶体管密度,这也是 阅读全文
posted @ 2025-12-08 12:08
丁洪贞
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