基于ARM™的AM263x微控制器: AM2632CODFHMZCZRQ1 AM2632COMFHAZCZR AM2632COKFHAZCZR AM2632COLFHAZCZR AM2632COKFHMZCZRQ1

在工业自动化与汽车电子快速迭代的今天，实时控制系统的性能边界正被不断突破。无论是伺服驱动器的精准响应，还是牵引逆变器的高效能量转换，都需要一颗兼具高性能计算与深度实时控制能力的“控制核心”。基于ARM™的AM263x Sitara™微控制器，以多核架构、丰富模拟外设和功能安全特性，为下一代工业与汽车应用提供坚实底座。

AM263x Sitara™微控制器包含许多型号，但这篇文章主要介绍：AM2632CODFHMZCZRQ1 AM2632COMFHAZCZR AM2632COKFHAZCZR AM2632COLFHAZCZR AM2632COKFHMZCZRQ1 AM2632CNEFHAZCZR AM2632CNDFHAZCZR AM2632CPDFHMZCZRQ1

产品概述

AM263x Sitara™ Arm® 微控制器旨在满足下一代工业和汽车嵌入式产品复杂的实时处理需求。AM263x MCU 系列包含多个具有多达四个 400MHz Arm® Cortex®-R5F 内核的引脚对引脚兼容器件。可选择将 Arm® R5F 子系统编程为在锁步或双核模式下运行，从而实现多种功能安全配置。工业通信子系统 (PRU-ICSS) 支持集成工业以太网通信协议（例如 PROFINET®、Ethernet/IP®、EtherCAT® 以及多个其他协议）、标准以太网连接和自定义 I/O 接口。该系列面向使用高级模拟感应和数字驱动模块的未来电机控制和数字电源应用而设计。

多个R5F内核以集群形式排列，具有256 KB共享紧耦合存储器 (TCM) 以及2 MB共享SRAM，无需外部存储器。片上存储器、外设和互连上包含多种ECC，可靠性高。除了由HSM管理的粒度防火墙外，AM263x器件还可提供加密加速和安全启动功能，使得开发人员能够设计出最安全的系统。为Texas Instruments AM263x系列微控制器提供了一整套微控制器软件和开发工具。

产品规格

AM2632CODFHMZCZRQ1
核心处理器：ARM® Cortex®-R5F
内核规格：32 位双核
速度：400MHz
连接能力：CANbus，以太网，I2C，MMC/SDIO，QSPI，SPI，UART/USART
外设：AES，DMA，POR，PWM，SHA，TRNG，WDT
I/O 数：140
程序存储容量：256KB（256K x 8）
程序存储器类型：紧耦合存储器（TCM）
EEPROM 容量：-
RAM 大小：2M x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：1.14V ~ 1.26V
数据转换器：A/D 6x12b SAR; D/A 1x12b
振荡器类型：内部
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
等级：汽车级
资质：AEC-Q100
安装类型：表面贴装型
器件封装：324-NFBGA（15x15）

AM2632COMFHAZCZR
核心处理器：ARM® Cortex®-R5F
内核规格：32 位双核
速度：400MHz
连接能力：CANbus，以太网，I2C，MMC/SDIO，QSPI，SPI，UART/USART
外设：AES，DMA，POR，PWM，SHA，TRNG，WDT
I/O 数：140
程序存储容量：256KB（256K x 8）
程序存储器类型：紧耦合存储器（TCM）
EEPROM 容量：-
RAM 大小：2M x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：1.14V ~ 1.26V
数据转换器：A/D 6x12b SAR; D/A 1x12b
振荡器类型：内部
工作温度：-40°C ~ 105°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
器件封装：324-NFBGA（15x15）

AM2632COKFHAZCZR
核心处理器：ARM® Cortex®-R5F
内核规格：32 位双核
速度：400MHz
连接能力：CANbus，以太网，I2C，MMC/SDIO，QSPI，SPI，UART/USART
外设：AES，DMA，POR，PWM，SHA，TRNG，WDT
I/O 数：140
程序存储容量：256KB（256K x 8）
程序存储器类型：紧耦合存储器（TCM）
EEPROM 容量：-
RAM 大小：2M x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：1.14V ~ 1.26V
数据转换器：A/D 6x12b SAR; D/A 1x12b
振荡器类型：内部
工作温度：-40°C ~ 105°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
器件封装：324-NFBGA（15x15）

AM2632COLFHAZCZR
核心处理器：ARM® Cortex®-R5F
内核规格：32 位双核
速度：400MHz
连接能力：CANbus，以太网，I2C，MMC/SDIO，QSPI，SPI，UART/USART
外设：AES，DMA，POR，PWM，SHA，TRNG，WDT
I/O 数：140
程序存储容量：256KB（256K x 8）
程序存储器类型：紧耦合存储器（TCM）
EEPROM 容量：-
RAM 大小：2M x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：1.14V ~ 1.26V
数据转换器：A/D 6x12b SAR; D/A 1x12b
振荡器类型：内部
工作温度：-40°C ~ 105°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
器件封装：324-NFBGA（15x15）

AM2632COKFHMZCZRQ1
核心处理器：ARM® Cortex®-R5F
内核规格：32 位双核
速度：400MHz
连接能力：CANbus，以太网，I2C，MMC/SDIO，QSPI，SPI，UART/USART
外设：AES，DMA，POR，PWM，SHA，TRNG，WDT
I/O 数：140
程序存储容量：256KB（256K x 8）
程序存储器类型：紧耦合存储器（TCM）
EEPROM 容量：-
RAM 大小：2M x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：1.14V ~ 1.26V
数据转换器：A/D 6x12b SAR; D/A 1x12b
振荡器类型：内部
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
等级：汽车级
资质：AEC-Q100
安装类型：表面贴装型
器件封装：324-NFBGA（15x15）

应用场景

这些微控制器设计可用于以下场景：
单轴和多轴伺服驱动器
交流逆变器和VF驱动器
太阳能
EV充电
可再生能量存储
牵引逆变器
车载充电器
DC-DC转换器
电池管理系统
组合盒架构
I/O聚合器
域控制器